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DIFFÉRENTS TYPES DE MÉMOIRE

1- FACTEURS DE FORMES DES MODULES
2- PRINCIPALES TECHNOLOGIES DES PUCES
3- TECHNOLOGIES POUR LES TRAITEMENTS GRAPHIQUES ET VIDEO
4- AUTRES TECHNOLOGIES DE MÉMOIRE DONT VOUS AVEZ PEUT-ETRE ENTENDU PARLER
5- CONTROLE D'ERREURS
6- AUTRES SPECIFICATIONS
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Certaines personnes veulent tout savoir sur l'ordinateur qu'elles possèdent – ou
envisagent d'acheter – cela les intéresse. D'autres, ne se soucient absolument pas de
leur système, et sont satisfaites ainsi. D'autres enfin – la plupart d'entre nous, en
réalité – s'informent sur leur système lorsqu'elles y sont contraintes – en cas de
panne ou bien pour procéder à une actualisation. Il est important de savoir que le
choix d'un système informatique – et de ses caractéristiques mémoire – aura une
incidence sur son utilisation et sur votre degré de satisfaction. Ce chapitre va mieux
vous faire connaître les mémoires; vous pourrez ainsi vous servir plus efficacement
du système que vous voulez acheter ou que vous allez mettre à jour.

1- FACTEURS DE FORMES DES MODULES

La manière la plus simple de classifier les mémoires est de leur affecter un facteur
de forme. Le facteur de forme d'un module décrit sa taille et la configuration de ses
broches. La plupart des ordinateurs sont dotés de connecteurs de mémoires qui
n'acceptent qu'un seul facteur de forme. D'autres machines sont équipées de
plusieurs types de connecteurs, autorisant ainsi le choix entre deux ou plusieurs
facteurs de forme. Ce type de configuration correspond en général à des périodes
de transition de l'industrie, où l'on ne connaît pas encore le facteur de forme qui
s'imposera ou sera le plus largement distribué.

SIMM
Comme nous l'avons déjà indiqué, l'abréviation SIMM correspond à single in-line
memory module - module de mémoire à connexion simple. Dans les SIMM, les
puces mémoires sont soudées sur une carte modulaire (PCB), insérée dans un
connecteur de la carte système.
Les premières SIMM transféraient 8 bits de données à la fois. Plus tard, lorsque les
CPU ont commencé à lire les données par tranches de 32 bits, une SIMM plus large
(32 bits) a été développée. La manière la plus simple de différencier ces deux types
de SIMM était le nombre de broches ou connecteurs. Les anciens modules
comptaient 30 broches alors que les nouveaux en possédaient 72. On s'est mis à
parler couramment de SIMM 30 broches et de SIMM 72 broches.
Une autre différence essentielle entre les SIMM 30 broches et 72 broches est que
ces dernières étaient plus longue d'environ 1,9 cm (3/4 de pouce) que les SIMM 30
broches et comportaient une encoche au milieu de la carte. Le graphique ci-dessous
compare les deux types de SIMM et précise leur largeur.



SIMM 41/4" à 72 broches
SIMM 31/2" à 30 broches
Comparaison entre une
SIMM 30 broches et une
SIMM 72 broches.
DIMM
La DIMM (Dual In-line Memory Module - module de mémoires à connexion
double) ressemble beaucoup à la SIMM. Tout comme cette dernière, elle est
implantée verticalement sur les connecteurs d'extension. La principale différence
est la suivante: alors que, sur la SIMM, les broches situées à l'opposé de la carte,
sont "liées" pour former un seul contact électrique, sur la DIMM, les broches
opposées demeurent électriquement isolées et forment deux contacts séparés.
Une DIMM à 168 broches transfère 64 bits de données; elle équipe généralement
les ordinateurs dotés d'un bus de mémoire de 64 bits ou plus. Parmi les autres
différences physiques entre la DIMM à 168 broches et la SIMM à 72 broches, il faut
citer la longueur du module, son nombre d'encoches, ainsi que la manière dont il
est inséré dans le connecteur. Autre différence: de nombreuses SIMM sont montées
inclinées par rapport à la carte, alors que les DIMM à 168 broches sont disposées
verticalement dans le connecteur mémoire et sont donc parfaitement
perpendiculaires à la carte mère. L'illustration ci-dessous est une comparaison entre
une DIMM 168 broches et une SIMM 72 broches.


SIMM 41/4" à 72 broches
DIMM 51/4" à 168 broches
Comparaison entre
une SIMM à 72
broches et une
DIMM à 168 broches.
SO DIMM
Un type de mémoire communément utilisé dans les ordinateurs portables est la
SO DIMM ou Small Outline DIMM. la principale différence entre une
SO DIMM et une DIMM est que la SO DIMM est d'une taille bien inférieure
à celle de la DIMM standard puisqu'elle est destinée aux notebooks. La largeur
de la SO DIMM à 72 broches est 32 bits, celle de la SO DIMM à 144 broches
est 64 bits.



RIMM ET SO-RIMM
RIMM est la marque commerciale d'un module mémoire Direct Rambus. Les RIMM
ressemblent à des DIMM, mais elles n'ont pas le même nombre de broches. Les RIMM
transfèrent les données par tranches de 16 bits. Les vitesses d'accès et de transfert supérieures
provoquent un dégagement de chaleur très important. Une feuille d'aluminium, appelée
dissipateur, couvre donc le module pour protéger les puces contre les risques de surchauffe.



2.66" 144-Pin SO DIMM
Comparaison entre une
SO DIMM à 72 broches
et une DIMM à 168
broches.
RIMM Direct Rambus à
184 broches, présentée
avec dissipateurs retirés
2.35" 72-Pin SO DIMM
RIMM Rambus à 16 éléments
Dissipateurs

Une puce SO-RIMM est d'aspect similaire à une SO DIMM, mais utilise la
technologie Rambus.

Les PC Cards sont
conformes à la norme
PCMCIA (Personal
Computer Memory Card
Industry Association) qui
spécifie un standard pour
la connexion à un
notebook des
périphériques
d'entrée/sortie, tels
qu'adaptateurs réseau,
fax, modems ou
disques durs.
Comme la mémoire
PC Card est similaire
d'aspect aux cartes
enfichées dans le slot
PC Card d'un notebook ,
certains utilisateurs ont
pensé à tort que les
modules mémoire
pouvait aussi être insérés
dans le slot PC card.
Jusqu'ici, aucune RAM
n'équipe les cartes
PCMCIA parce que la
technologie ne permet
pas au processeur de
communiquer assez vite
avec la mémoire.
Actuellement le type de
mémoire le plus commun
sur les modules PC Card
est la mémoire Flash



PC CARD ET MÉMOIRE FORMAT CARTE DE CRÉDIT
Avant que les SO DIMM soient aussi largement diffusées, la plupart des mémoires
de ordinateurs portables étaient développées selon des configurations propriétaires.
Mais, comme il est toujours plus économique pour un constructeur de recourir à
des composants standard, il devint courant d'utiliser pour la mémoire le même
conditionnement "carte de crédit" (credit card) que celui utilisé sur la PC Card
aujourd'hui. Comme les modules avaient l'aspect de la PC Card, beaucoup
d'utilisateurs les ont confondus et ont tenté de les insérer dans la fente de la PC
Card. On parlait alors de mémoire "Credit Card" puisque le facteur de forme
correspondait à peu près à la taille d'une carte de crédit. En raison de sa compacité,
la mémoire credit card était l'idéal pour les ordinateurs portables, où la place est
limitée.
Module SO-RIMM
à 160 broches.
De l'extérieur, la
mémoire credit card ne
ressemble guère à un
module classique.
A l'intérieur, on retrouve
pourtant les puces
mémoire TSOP standard.
Dissipateur de chaleur

Ce chapître présente les technologies les plus courantes, utilisées pour la mémoire
principale. Le tableau ci-dessous donne une idée de l 'évolution des mémoires.



2- PRINCIPALES TECHNOLOGIES DES PUCES (retour haut de page)

Il est souvent utile de s'abstraire du facteur de forme d'une mémoire, car la plupart
d'entre eux peuvent correspondre à plusieurs technologies. Il est donc possible de
se trouver en présence de deux modules d'apparence similaire, mais qui sont
absolument différents. Par exemple une DIMM à 168 broches peut servir pour une
mémoire EDO, une DRAM synchrone ou d'autres types de mémoire encore. La
seule manière de savoir précisément quel type de mémoire est contenu dans un
module est de se référer au marquage sur les puces. Chaque constructeur a son
propre marquage et son propre numéro de pièce pour identifier la technologie.
MEMOIRE FPM (FAST PAGE MODE)
A une certaine période, la mémoire FPM était la forme la plus courante de DRAM
dans les ordinateurs. Elle était si fréquente que l'on parlait simplement de "DRAM,"
en oubliant "FPM". La technologie de mémoire FPM offrait un avantage sur les
précédentes car elle permettait un accès plus rapide aux données situées sur une
même rangée. H N O L O G I E
FPM
EDO
PC66 SDRAM
PC100 SDRAM
RDRAM
PC133 SDRAM
DDR SDRAM
V I T E S S E
M A X I M A L E
50ns
50ns
66MHz
100MHz
800MHz
133MHz (option VCM)
266MHz
MÉMOIRE EDO (EXTENDED DATA OUT)
Apparue en 1995, la mémoire EDO représentait une nouvelle innovation dans ce
domaine. Similaire à la FPM, elle comportait pourtant une légère modification,
autorisant des accès mémoire consécutifs bien plus rapides. Le contrôleur de
mémoire gagnait du temps en supprimant quelques étapes dans le processus
d'adressage. Avec une EDO, l'adressage de la mémoire par la CPU s'effectue à une
vitesse supérieure de 10 à 15 % par rapport à une FPM.

MÉMOIRE SDRAM (SYNCHRONOUS DRAM - DRAM SYNCHRONE)
Fin 1996, les SDRAM ont commencé à équiper les systèmes. A la différence des
technologies antérieures, la SDRAM se synchronise elle-même avec la CPU. Ainsi,
le contrôleur de mémoire connaît le cycle d'horloge exact où les données seront
disponibles. Donc, la CPU n'attend plus entre les accès mémoire. Les puces SDRAM
bénéficient des modes entrelacement et rafale, qui accélèrent également la
recherche en mémoire. Les modules SDRAM sont disponibles en différentes
fréquences, assurant ainsi la synchronisation avec la vitesse d'horloge du système
où elles sont implantées. Par exemple, une SDRAM PC66 est cadencée à 66 MHz,
une SDRAM PC100 à 100 MHz, une SDRAL PC133 à 133 MHz, et ainsi de suite.
Des valeurs supérieures tels que 200 MHz et 266 MHz sont actuellement en cours
de développement.

DDR SDRAM (DOUBLE DATE RATE SYNCHRONOUS DRAM)
La DDR SDRAM représente la génération suivante de la technologie SDRAM. Elle
permet à la puce mémoire d'effectuer des transactions à la fois durant la phase
montante et durant la phase descendante du cycle d'horloge. Par exemple, avec une
DDR SDRAM, un bus mémoire à 100 ou 133 MHz gère un débit de données réel
de 200 MHz ou 266 MHz. Des systèmes dotés de DDR SDRAM sont attendus pour
la fin de l'an 2000.

DIRECT RAMBUS
Direct Rambus® est une nouvelle norme d'architecture et d'interface de DRAM qui
représente un défi par rapport à la configuration classique de la mémoire
principale. Comparée aux anciennes technologies, Direct Rambus est
extraordinairement plus rapide. Elle est capable de transférer les données à une
vitesse atteignant 800 MHz via un bus étroit (16 bits), appelé Direct Rambus
Channel. Cette vitesse d'horloge élevée est rendue possible grâce à un dispositif
"double horloge," qui autorise les transactions à la fois durant la phase montante et
durant la phase descendante du cycle d'horloge. Donc chaque dispositif de
mémoire d'un module RDRAM génère une bande passante atteignant 1,6 giga-octet
par seconde – le double de celle disponible sur les SDRAM 100 MHz courantes.
En dehors des puces dédiées spécifiquement à la mémoire principale, il existe des
technologies spéciales, conçues pour les applications vidéo.

3- TECHNOLOGIES POUR LES TRAITEMENTS GRAPHIQUES ET VIDEO (retour haut de page)
VIDEO RAM (VRAM)
VRAM est la version vidéo de la technologie FPM. La VRAM est équipée de deux
ports au lieu d'un; ainsi la mémoire dédie l'un de ses canaux au rafraîchissement de
l'écran tandis que l'autre change les images affichées. Cette technologie est bien
plus efficace que la DRAM avec les applications vidéo. Toutefois, comme les puces
mémoire vidéo sont utilisées en quantités bien moindres que les puces de mémoire
principale, elles sont plus coûteuses. Ainsi, un concepteur de système peut choisir
de monter une RAM classique dans un sous-système vidéo si le facteur coût prime
sur l'aspect performances.

WINDOW RAM (WRAM)
WRAM est un autre type de mémoire à deux ports, également employée dans les
systèmes graphiques. Elle diffère légèrement de la VRAM: son port d'affichage dédié
est moins large et elle supporte les fonctionnalités EDO.

SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM (SGRAM)
SGRAM est une extension de la SDRAM, spécifique à la vidéo, qui intègre des
fonctionnalités de lecture/écriture, spécifiques aux graphiques. SGRAM assure
également la recherche et la modification des données en blocs, et non plus
individuellement. Cela réduit le nombre de lectures et d'écritures effectuées par la
mémoire et accroît les performances du contrôleur graphique en rendant le
processus plus efficace.

BASE RAMBUS ET CONCURRENT RAMBUS
Avant de devenir un concurrent dans le secteur de la mémoire principale, la
technologie Rambus était utilisée pour la mémoire vidéo. La technologie actuelle
Rambus pour mémoire principale est appelée Direct Rambus. Les deux formes
antérieures de Rambus sont Base Rambus et Concurrent Rambus. Elles ont été
utilisées dans certaines applications vidéo spécialisées, dans certaines stations de
travail et sur certaines consoles de jeux vidéo comme la Nintendo 64, il y a
quelques années.


4- AUTRES TECHNOLOGIES DE MÉMOIRE DONT VOUS AVEZ PEUT-ETRE ENTENDU PARLER (retour haut de page)

ENHANCED SDRAM (ESDRAM)
Afin d'augmenter la vitesse et l'efficacité des modules mémoire standard, certains
fabricants ont incorporé une petite quantité de SRAM directement sur la puce,
créant ainsi un cache intégré. Une ESDRAM est donc essentiellement une SDRAM
plus une petite quantité de cache SRAM qui autorise un fonctionnement en rafale
jusqu'à 200 MHz. Comme avec un cache externe, la DRAM place les données le
plus fréquemment utilisées dans le cache SRAM afin de réduire les accès à la

DRAM, moins rapide. L'un des avantages de la SRAM sur puce est qu'elle permet
la mise en place d'un bus plus large entre la SRAM et la DRAM, augmentant ainsi
la bande passante et la vitesse de la DRAM.

FAST CYCLE RAM (FCRAM)
La FCRAM, développée conjointement par Toshiba et Fujitsu est destinée à des
applications spécifiques comme les serveurs évolués, les imprimantes ou les
systèmes de commutation dans les télécommunications. Elle inclut une
segmentation et un pipelinage interne, qui accélèrent les accès aléatoires et
réduisent la consommation électrique.

SYNCLINK DRAM (SLDRAM)
Bien qu'elle soit considérée obsolète aujourd'hui, la SLDRAM a été développée par
un groupe de fabricants de DRAM en tant que variante à la technologie Rambus, à
la fin des années 1990.

VIRTUAL CHANNEL MEMORY (VCM)
Développée par NEC, la VCM permet à différents "bancs" de mémoire d'établir de
manière autonome une interface avec le contrôleur de mémoire, grâce à un
tampon. Il est ainsi possible d'attribuer à différentes tâches système leurs propres
"canaux virtuels"; de plus, les informations concernant une fonction ne partagent
pas l'espace tampon avec d'autres tâches simultanées, ce qui rend le
fonctionnement plus efficace.

MéMOIRE FLASH
La mémoire flash est une mémoire à semiconducteurs, non volatile et
réinscriptible, qui fonctionne comme la combinaison d'une RAM et d'un disque
dur. La mémoire flash stocke les bits de données dans des cellules de mémoire,
comme une DRAM, mais elle fonctionne comme un disque dur, dans la mesure où
les données sont conservées en mémoire lorsque l'alimentation électrique est
coupée. En raison de sa vitesse élevée, de sa durabilité et de sa faible
consommation, la mémoire flash est idéale pour de nombreuses applications –
comme les appareils photos numériques numériques, les téléphones cellulaires, les
imprimantes, les ordinateurs portables, les récepteurs d’ondes radio de poche et les
dispositifs d'enregistrement sonore.


mémoire flash.
SSFDC (Solid State
Floppy Disk Card)
CompactFlashTM
Flash Card
PC Card Type I
Flash Car
5- CONTROLE D'ERREURS (retour haut de page)

Assurer l'intégrité des données stockées en mémoire est un aspect majeur de la
conception d'une mémoire. Deux moyens primaires pour y parvenir sont la parité
et le code de correction d'erreur (ECC).
Historiquement, la parité et la méthode la plus communément utilisée de contrôle
de l'intégrité des données. La parité est en mesure de détecter – mais pas de corriger
– les erreurs sur un bit. Le code de correction d'erreur (ECC) est une méthode
plus complète de vérification de l'intégrité des données qui est en mesure de
détecter et corriger les erreurs sur un bit.
De moins en moins de constructeurs de PC prévoient un contrôle de l'intégrité des
données dans la configuration de leur machine. Cela est dû à deux facteurs.
Premièrement, en supprimant la mémoire de parité, plus coûteuse que la mémoire
standard, les constructeurs abaissent le prix de leurs machines. Heureusement,
cette tendance s'accompagne du second facteur, à savoir l'élévation de la qualité des
mémoires commercialisées par certains fabricants, ce qui se traduit par la quasi
disparition des erreurs de mémoire.
Le type de contrôle de l'intégralité des données dépend de la manière dont un
ordinateur est utilisé. S'il doit jouer un rôle critique – être utilisé comme serveur,
par exemple – la présence sur la machine d'un contrôle de l'intégrité est idéale. En
général, la situation est la suivante.
• La plupart des ordinateurs conçus pour fonctionner comme serveur évolué sont
dotés d'une mémoire ECC.
• La plupart des ordinateurs bon marché, destinés à une utilisation domestique ou
à un usage professionnel non intensif, ont une mémoire de contrôle de la parité.

Dans le cadre du contrôle
de parité, lorsque 8 bits de
données sont inscrits dans
une DRAM, un bit de parité
correspondant est entré en
même temps. La valeur du
bit de parité (1 ou 0) est
déterminée au moment où
l'octet est inscrit sur la
DRAM, sur la base de la
quantité paire ou impaire
de 1. Certains fabricants
utilisent une puce de "fausse
parité ", moins coûteuse.
Cette puce génère
simplement un 1 ou un 0
au moment où les données
sont envoyées à la CPU
pour régler le contrôleur de
mémoire. (Par exemple, si
l'ordinateur utilise la parité
impaire, la puce de fausse
parité génère un 1
lorsqu'un octet de données
contenant un nombre pair
de 1 est envoyé à la CPU. Si
l'octet contient un nombre
impair de 1, la puce de
fausse parité génère un 0.
La règle est que la puce de
fausse parité envoie un
signal "OK" dans tous les
cas. Ainsi, elle "trompe"
l'ordinateur qui attend le bit
de parité en pensant que le
contrôle de parité a eu lieu
alors que ce n'est pas le cas.
Ligne inférieure: la fausse
parité ne peut pas détecter
un bit de données invalide.
PARITÉ

Lorsque la parité est utilisée dans un ordinateur, un bit de parité est stocké dans la
DRAM avec chaque groupe de 8 bits (1 octet) de données. Les deux types de
protocole – parité impaire et parité paire– fonctionnent de manière similaire.
Ce tableau indique comment s'appliquent la parité impaire et la parité paire. Les
processus sont identiques, mais avec des attributs opposés.

La parité a ses limites. Elle est en mesure de détecter les erreurs, mais ne les
corrige pas. Cela est dû au fait qu'elle ne peut pas déterminer lequel des 8 bits de
données est invalide.
De plus, si plusieurs bits sont invalides, le circuit de parité ne détecte pas le
problème si les données remplissent les conditions de parité impaire ou impaire,
recherchées par le circuit de parité. Par exemple, si un 0 valide devient un 1
invalide et si un 1 valide devient un 0 invalide, les deux bits défectueux
s'annulent et le circuit de parité ne détecte rien. Heureusement, l'éventualité
d'une telle situation est extrêmement faible.

ECC

Le code de correction d'erreur est la méthode de contrôle de l'intégrité utilisée à
l'origine dans les PC et serveurs haut de gamme. La différence importante entre
l'ECC et la parité est que l'ECC est capable de détecter et de corriger les erreurs sur
1 bit. Avec l'ECC, la correction d'une erreur sur 1 bit intervient sans que l'utilisateur
s'en rende compte. En fonction du type de contrôleur de mémoire utilisé par
l'ordinateur, l'ECC peut aussi détecter les erreurs rares sur 2, 3 ou 4 bits. Mais il
n'est toutefois pas capable de les corriger. Il existe pourtant des types d'ECC plus
complexes en mesure de corriger les erreurs sur plusieurs bits.
A l'aide d'un algorithme, et de concert avec le contrôleur de mémoire, le circuit
ECC ajoute des bits ECC aux bits de données, et les associe en mémoire. Lorsque
la CPU demande les données, le contrôleur décode les bits ECC et détermine si un
ou plusieurs bits de donnés sont invalides. En cas d'erreur sur un seul bit, le circuit
ECC la corrige. Dans les rares cas d'erreurs sur plusieurs bits, le circuit ECC signale
une erreur de parité.

6- AUTRES SPECIFICATIONS (retour haut de page)

En plus des facteurs de forme, des technologies de mémoire et des méthodes de
contrôle des erreurs, il existe d'autres spécifications, essentielles pour comprendre
et sélectionner les modules de mémoire.

VITESSE
La vitesse des composantes et modules de mémoire est l'un des facteurs majeurs
pour optimiser une configuration de mémoire. Tous les systèmes informatiques
indiquent la vitesse de la mémoire. Pour garantir la compatibilité de la mémoire, il
faut donc se conformer à cette spécification. Ce chapitre définit trois valeurs de
mesure relatives à une composante de mémoire et à la vitesse d'un module: temps
d'accès, mégahertz et octets par seconde.

TEMPS D'ACCÈS
Avant les SDRAM, la vitesse d'une mémoire était exprimée par son temps d'accès,
mesuré en nanosecondes (ns). Le temps d'accès indique le temps nécessaire au
module pour fournir les données demandées. Une valeur inférieure correspond
donc à un temps d'accès rapide. Les vitesses courantes étaient 80 ns, 70 ns, et 60
ns. Bien souvent, la référence figurant sur la puce indique la vitesse du module; un
numéro terminé par "-6" correspond à 60 ns, par "-7" à 70 ns, etc.
Dans la plupart des cas, l'utilisation d'un module de même vitesse ou plus rapide
répond à la spécification mémoire du système. Par exemple, si votre système
demande une mémoire à 70 ns, vous pouvez utiliser une mémoire à 70 ns ou 60
ns sans aucun problème. Toutefois, certains systèmes anciens contrôlent la vitesse
réglée sur l'ID du module lors du démarrage; ils ne se mettent en route que si la
vitesse recherchée est exacte. Si le système possède une spécification de 80 ns, il
n'accepte aucune différence par rapport à cette valeur, même si la vitesse est
supérieure. Dans de nombreux cas, on réalise les modules de ces systèmes avec des
puces mémoire plus rapides, mais l'on règle l'ID du module sur une vitesse plus
lente afin d'assurer la compatibilité. C'es pourquoi vous ne pouvez jamais être
certain de la vitesse d'un module en consultant le marquage des puces.

MEGAHERTZ
A partir du développement de la technologie SDRAM, la vitesse du module
mémoire a été mesurée en mégahertz (MHz). L'identification sur la puce est
toujours exprimée en nanosecondes. Cela peut être une source de confusion, en
particulier parce que le marquage en nanosecondes ne correspond plus au temps
d'accès, mais à l'intervalle entre deux cycles d'horloge. Sur les puces SDRAM à 66
MHz, 100 MHz, et 133 MHz, par exemple, les marquages correspondants sont -15,
-10, et -8.

Ce tableau montre la méthode pour déterminer les équivalences entre MHz et
valeurs en ns.





           nanosecondes par seconde           1 000 000 000ns              nanosecondes
        ------------------------------  =  --------------------   =  -------------------
        cycles d'horloge par seconde           cycles d'horloge               cycle d'horloge


Comme nous l'avons signalé dans le chapitre précédent, la vitesse du processeur et
la vitesse du bus de mémoire ne sont normalement pas les mêmes. La vitesse de la
mémoire est limitée par la vitesse du bus de mémoire, qui constitue l'élément le
plus lent du processus.

OCTETS PAR SECONDE
Convertir les MHz en octets par seconde peut être une source de confusion. Les
deux éléments essentiels dont vous avez besoin pour effectuer la conversion sont la
vitesse (en MHz) et la largeur (en bits) du bus.

Largeur du bus: sur un bus 8 bits, par exemple, 8 bits soit 1 octet d'informations
circulent à la fois sur le bus. Sur un bus 64 bits, 64 bits soit 8 octets d'information
sont transférés simultanément.

Vitesse du bus: si la vitesse du bus mémoire est 100 MHz, cela correspond à 100
millions de cycles d'horloge par seconde. Normalement, un paquet d'informations
est émis lors de chaque cycle d'horloge. Si le bus à 100 MHz a 1 octet de largeur,
les données circulent à 100 méga-octets par seconde. Sur un bus 64 bits à 100
MHz, les données sont transmises à 800 méga-octets par seconde.

Les modules Rambus sont parfois mesurés en MHz et parfois en méga-octets par
seconde. Un type de module Rambus est associé à un bus à 400 MHz mais comme
les modules Rambus envoient deux paquets d'informations par cycle d'horloge au
lieu d'un, le module est cadencé à 800 MHz. On parle parfois de PC-800. Comme
la largeur du Rambus est 16 bits (2 octets), les données circulent à 1600 Mo par
seconde, ou 1,6 Go par seconde. Utilisant la même logique, le PC-600 transfère les
données à 1,2 gigaoctets par seconde.

REGISTRES ET TAMPONS
Les registres et tampons améliorent le fonctionnement de la mémoire en "repilotant"
les signaux de commande dans les puces mémoire. Ils peuvent être
extérieurs au module de mémoire où être implantés directement dessus. Lorsque
les registres et tampons sont placés directement sur le module de mémoire, le
système peut supporter un nombre supérieur de modules. Donc, vous trouverez ce
type de modules dans les serveurs et postes de travail haut de gamme. Il faut bien
noter que, lors d'une extension, il ne faut pas mélanger les modules avec et sans
tampon (ou registre).

Mise en tampon (EDO et FPM): dans les EDO et les FPM, le processus de renvoi
des signaux est appelé mise en tampon. Il supprime les pertes de performances.

Mise en registre (SDRAM): dans les SDRAM, ce même processus est la mise en
registre. Elle est similaire à la mise en tampon, sauf que les données sont cadencées
par l'horloge système, à l'entrée et à la sortie du registre. Les modules à registre sont
légèrement moins rapides que les modules sans registre car le processus de mise en
registre demande un cycle d'horloge.



Certains confondent les
termes "double face" et
"double banc". Précisons
donc, pour plus de
clarté: double face est
un terme physique
indiquant que les puces
sont disposées des deux
côtés du module de
mémoire; double banc
est un terme électrique
signifiant que le module
est divisé électriquement
en deux bancs de
mémoire.
La politique de Kingston
a toujours été d'associer
les mêmes métaux; le
numéro de pièce
Kingston, défini pour
chaque système
informatique, prend en
compte le métal du
connecteur.


MODULES A BANC MULTIPLE
Un module à banc multiple autorise une souplesse supérieure quant aux types de
puces utilisés. La technique multiple permet au concepteur de diviser la mémoire
en bancs; pour le système informatique, c'est comme s'il existait plusieurs modules.
Cette conception est similaire à celle des bancs de connecteurs mémoire dans un
ordinateur: le système accède à un banc à la fois, sans tenir compte du nombre réel
de connecteurs sur celui-ci.


ETAIN OU OR
Les modules de mémoire sont fabriqués avec des pistes (connecteurs) en étain ou
en or. L'or est meilleur conducteur que l'étain. Toutefois, comme l'étain est
beaucoup moins cher, les fabricants d'ordinateurs ont commencé, au début des
années 1990, à utiliser des connecteurs en étain sur les cartes systèmes afin de
réduire leurs coûts. Si vous achetez de la mémoire et que vous avez le choix –
modules compatibles en version étain et en version or – il vaut mieux choisir le
même métal pour le module et le connecteur. Cette harmonisation contribue à
éviter la corrosion.

TAUX DE RAFRAICHISSEMENT
Le rafraîchissement est le processus de rechargement ou réactivation des "cellules
mémoire" dans une puce. En effet, la mémoire est organisée en matrice de cellules,
disposées en rangées et colonnes – comme les cases d'un échiquier – chaque
colonne étant divisée par la largeur E/S de la puce mémoire. Cette organisation en
rangées et colonnes est appelée DRAM array (grille). La DRAM est une RAM
"dynamique" car elle est rafraîchie ou réactivée des milliers de fois par seconde
pour conserver les données. Cela est nécessaire car les cellules mémoires sont de
minuscules condensateurs, chargés électriquement. Ces condensateurs
fonctionnent comme des batteries miniatures, qui perdent leur charge si elles ne
reçoivent pas d'énergie. De la même manière, le processus de lecture des données
prélève de la charge; il faut donc précharger les cellules avant la lecture.
Les cellules sont rafraîchies rangée par rangée (normalement une par cycle de
rafraîchissement). Le terme taux de rafraîchissement n'indique pas le temps
nécessaire pour rafraîchir la mémoire mais la totalité des rangées nécessaires pour
rafraîchir la grille totale de la DRAM. Par exemple, un taux de rafraîchissement de
2K indique qu'il faut 2,048 rangées pour rafraîchir la grille; un taux de 4K
correspond à 4,096 rangées.
Normalement, le contrôleur de la mémoire système active l'opération de
rafraîchissement. Toutefois, certaines puces sont en mesure d'effectuer un "autorafraîchissement".
La DRAM possède son propre circuit de rafraîchissement et ne
demande aucune intervention de la CPU ou du contrôleur de mémoire externe. Les
modules à auto-rafraîchissement réduisent considérablement la consommation
électrique et équipent fréquemment les ordinateurs portables.

LATENCE CAS
La latence CAS correspond au nombre de cycles d'horloge d'attente, nécessaire
avant l'adressage d'une puce DRAM. La latence est une mesure de temporisation,
donc un facteur de latence "CL2" correspond à une temporisation sur deux cycles
d'horloge ("CL3" à une temporisation sur trois cycles d'horloge). Lors de la sortie
des premières SDRAM, il était difficile de fabriquer des puces de facteur de latence
CAS égal à CL2. Bien que certaines spécifications nécessitaient une valeur CL2, de
nombreux modules fonctionnaient très bien avec un facteur de latence CL3.


Une EPROM est une
puce programmable avec
de nombreuses
informations, y compris la
capacité du module, sa
vitesse, le type de
mémoire et même le
nom du constructeur. La
CPU les utilise au
démarrage pour bien
identifier le type de
mémoire du système et
pour adapter ses réglages
en conséquence.
Une EEPROM
(electrically erasable
programmable readonly
memory -
mémoire morte
effaçable
électriquement),
également appelée
E2PROM, diffère d'une
EPROM par le fait qu'il
n'est pas besoin de la
retirer de la machine
pour la modifier.Toutefois,
il faut l'effacer et la
reprogrammer
entièrement, sans
sélectivité. Elle est
caractérisée par une
durée de vie limitée, c'està-
dire qu'elle ne peut être
reprogrammée qu'un
certain nombre de fois.
DISSIPATEURS THERMIQUES
Avec l'accroissement de vitesse, les puces sont devenues plus denses, un nombre
supérieur de circuits est regroupé sur des cartes plus petites. La dissipation de la
chaleur devient donc un problème. Depuis plusieurs années déjà, les processeurs
sont donc équipés de ventilateurs. Les modules mémoire de la dernière génération
utilisent des dissipateurs thermiques pour réguler la température à un niveau qui
garantit un fonctionnement sûr.

DÉTECTION DE PRÉSENCE SÉRIE (SPD - SERIAL PRESENCEDETECT) ETDETECTION
DE PRÉSENCE PARALLÈLE (PPD - PARALLEL PRESENCE DETECT (PPD)
Lorsqu'un ordinateur démarre, il doit "détecter" la configuration des modules
mémoire afin de fonctionner correctement. La détection PPD est la méthode
traditionnelle pour le relayage de l'information, à l'aide de résistances. PPD est
utilisée par les SIMM et certaines DIMM pour s'identifier. La détection SPD utilise
une EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - mémoire
morte effaçable électriquement) pour stocker les informations sur le module.

NOMBRE DE LIGNES D'HORLOGE (2-C LOCK OU 4-CLOCK)
La mémoire SDRAM nécessite des lignes de liaison avec l'horloge système. "2-
clock" signifie que le module est doté de deux lignes d'horloge, "4-clock"
correspond à quatre lignes. Les premières configuration d'Intel étaient de type 2-
clock car le module ne comportait que huit puces. Plus tard, la configuration 4-
clock a été développée avec un nombre inférieur de puces par ligne d'horloge, ce
qui a contribué à réduire la charge sur chaque ligne et à obtenir ainsi une interface
de données plus rapide.

TENSION
La tension des modules de mémoire s'abaisse lorsque les cellules des DRAM sont
implantées de façon plus serrée et que la chaleur devient un problème. La plupart
des ordinateurs fonctionnaient jusqu'ici à 5 V. Les notebooks ont utilisé les
premiers des puces à 3,3 V. Non seulement à cause du problème de l'échauffement,
mais parce qu'une tension inférieure consomme moins, ce qui a pour effet
d'accroître l'autonomie de la batterie. Maintenant la plupart des ordinateurs de
bureau sont normalisés avec des mémoires à 3,3 V, mais on assiste à un
remplacement rapide par des puces à 2,5 V, puisque la miniaturisation se poursuit
avec la densification de l'intégration.

COMPOSITE OU NON COMPOSITE
Composite et non composite sont des termes, utilisés tout d'abord par Apple
Computer, pour expliquer la différence entre modules de même capacité utilisant
un nombre différents de puces. Explication: lorsque l'industrie passe d'une densité
de puce à une autre, il devient par exemple possible d'assembler un module de
mémoire à partir de 8 puces de nouvelle densité ou de 32 d'ancienne densité. Pour
celui utilisant la dernière technologie et le plus petit nombre de puces, Apple parle
de module "non composite", alors que la version de technologie antérieure, avec le
nombre de puces supérieur, est "composite". Comme la présence de 32 puces sur
un module peut provoquer des problèmes d'échauffement et d'espace, Apple invite
les clients à acheter des modules non composites.

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