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GLOSSAIRE
LE GUIDE DE RÉFÉRENCE SUR LA MÉMOIRE DE KINGSTON
TECHNOLOGY
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ANSI
ASCII
Auto-rafraîchissement
Banc de mémoire
Banc unique
Banc
Bande passante
Base Rambus
BGA
Binaire
BIOS
Bit
Burst EDO RAM
Bus
Bus arrière
Bus frontal
Bus local
Bus mémoire
Cache niveau 1
Cache niveau 2
Cache par rafales et
pipeline
Canal Rambus
Carte à circuit imprimé PCB
Carte à Mémoire
Carte logique
Carte mère
Carte système
CAS
ccNUMA
CI
Code de correction d'erreur
ECC
CompactFlash
Composite
Concentrateur du
contrôleur mémoire
Concentrateur du
traducteur mémoire
Concurrent Rambus
Conditionnement
Chip-Scale
Connecteur RIMM
Connecteur SIMM
Continuity RIMM
CPU
Cycle de bus
DDR SDRAM
Détection de présence
sérielle
DIMM
DIP
Direct Rambus
Dissipateur thermique
Double banc
DRAM
Dual Independent Bus
EDO
EDRAM
EEPROM
EISA
Entrelacement
EOS
EPROM
ESDRAM
Etat d’attente
Facteur de forme
Fast-Cycle RAM
Fast-Page Mode
Flash Memory
Gigabit
Gigaoctet
JEDEC
Jeu de puces
Kilobit
Kilo-octet
Latence CAS
Mégabit
Méga-octet
Mémoire
Mémoire à registres
Mémoire avec tampon
Mémoire cache
Mémoire Credit Card
Mémoire du canal virtuel
Mémoire morte
Mémoire non tamponnée
Mémoire propriétaire
Mémoire vidéo à accès
aléatoire – Window Ram
Mémoire virtuelle
Micro BGA
Mode rafale
Nanoseconde
Nibble
Non composite
Octet
Parité
Parité impaire
Parité paire
PC Card
PCI
Permutation
Port d'accès accéléré
Procédé pipeline
Radiateur
RAM
RAM statique
Rambus
RAS
Régénérer
RIMM™
Schéma de banc
SDRAM
SGRAM
SIMM
SLDRAM
SO DIMM
SOJ
SO-RIMM™
Tampon
Technologie des lignes de
transmission
Temps d'accès
TSOP
Vitesse de régénération
VRAM
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(American National Standards Institute) – Organisme américain chargé de définir les
normes applicables aux technologies de l'information.
(American Standard Code for Information Interchange) – Méthode de codage des
textes en valeurs binaires. Le système de codage ASCII comprend 256
combinaisons de nombres binaires de 7 ou 8 bits, représentant l'ensemble des
frappes possibles sur un clavier.
Technologie des mémoires permettant aux RAM dynamiques de se régénérer
indépendamment de la CPU ou des circuits de rafraîchissement externes. La
technologie d’auto-rafraîchissement est intégrée dans la puce DRAM et a l’avantage
de réduire sensiblement la consommation d’énergie. Les micro-ordinateurs
portables ont recours à cette technologie.
Unité logique de mémoire dans un micro-ordinateur dont la taille est déterminée
par la CPU. Par exemple, une CPU de 32 bits requiert des bancs de mémoire
capables de fournir 32 bits d’information lors d’un cycle. Un banc se compose d’un
ou plusieurs modules de mémoire.
Module qui n’est équipé que d’un banc ou d’une ligne.
Voir banc de mémoire.
Quantité de mémoire transportée sur une voie électronique (un bus par exemple)
en une seconde. La bande passante est généralement mesurée en bits par seconde,
octets par seconde ou cycles par seconde (Hertz).
Première génération de mémoire Rambus, commercialisée en 1995.
(Ball Grid Array - grille de billes) – Structure de billes de soudage, disposées sur la
face inférieur d'une puce, pour le montage. La BGA permet de réduire la taille du
boîtier, de mieux dissiper la chaleur et d'obtenir des densités de module
supérieures.
Système de numération utilisant des combinaisons de 0 et 1 pour représenter les
données. Egalement appelé Base 2.
(Basic Input-Output System - système d'entré/sortie de base) – Programme activé au
démarrage qui prépare l'ordinateur pour le fonctionnement ultérieur.
Plus petite unité d'information traitée par un ordinateur. Un bit peut prendre deux
états: 1 et 0.
(BEDO) – Mémoire EDO capable de traiter quatre adresses mémoire dans le cadre
d'une seule rafale. La vitesse du bus est comprise entre 50 MHz et 66 MHz (à comparer
avec les valeurs de 33 MHz pour l'EDO et 25 MHz pour la mémoire Fast Page Mode).
Chemin de données à l'intérieur d'un ordinateur, composé de plusieurs fils
parallèles, auquel sont connectés la CPU, la mémoire et tous les dispositifs
d'entrée/sortie.
(BSB - Backside Bus) – Chemin de données reliant la CPU et le cache L2.
(FSB - Frontside Bus) – Chemin de données qui relie la CPU et la mémoire principale (RAM).
VESA (VL-Bus) – Bus local de 32 bits qui transmet les données à des vitesses
atteignant 40 MHz.
Bus qui relie la CPU aux connecteurs d’extension de la mémoire.
(L1) – Également appelé cache primaire, le cache L1 est une mémoire de petite
taille à vitesse d’accès élevée qui
réside sur le processeur ou à proximité
immédiate.
Le cache L1 fournit au processeur les données et instructions les plus fréquemment
demandées.
(L2) – Également appelé cache secondaire, le cache L2, une mémoire de petite taille
à vitesse d’accès élevée, se trouve
généralement sur la carte mère à
proximité de la
CPU. Le cache L2 fournit au processeur les données les plus fréquemment
demandées. En fonction de la carte mère, il peut bénéficier d’extensions.
Ce cache réduit les temps d’attente et accélère
les accès à la mémoire grâce à
l’utilisation du procédé par rafales et pipeline.
Chemin de données des systèmes Rambus. La longueur des données étant courte
(deux octets), les modules Rambus transfèrent les données à une vitesse atteignant
800 MHz.
(Printed Circuit Board) – Il s’agit généralement de cartes plates, multicouches en
fibre de verre où sont intégrés des pistes électriques. La surface et les sous-couches
sont équipées de pistes en cuivre qui assurent les connexions électriques des puces
et autres composants. Parmi les cartes à circuit imprimé, on peut citer les cartes
mères, les mémoires SIMM et celles des cartes de paiement.
Unité électronique de taille identique à une carte de paiement. Elle peut stocker des
données et des programmes tout en augmentant la sécurité. Les applications
englobent l’identification, le transfert de masse et les opérations bancaires.
Voir carte mère.
Également appelée carte logique ou carte principale, la carte mère est l’âme du
micro-ordinateur. Elle contient dans la plupart des cas la CPU, la mémoire et les
entrées-sorties ou est équipée des connecteurs d’extension pour ces derniers.
Voir carte mère.
(Column Address Strobe) – Signal de puce mémoire qui convertit l'adresse de
colonne d'un emplacement particulier en matrice rangée-colonne.
(Cache-Coherent, Non-uniform Memory Access) – Architecture flexible, utilisant des
composantes modulaires, à faible coût, ainsi que d'autres moyens
multidimensionnels de mise à l'échelle avec les serveurs haute capacité.
(Circuit intégré) – Circuit électronique sur une puce semiconducteur. Le circuit
comprend des composants et des connecteurs. Une puce semiconducteur est
généralement moulée dans un boîtier en plastique ou en céramique, doté de
broches de connexion externes.
(Error Correction Code) – Méthode de contrôle de l'intégrité des données dans une
DRAM. L'ECC offre une détection plus sophistiquée que la parité; elle détecte les
erreurs multiples sur les bits et elle localise et corrige les erreurs uniques sur les bits.
Petit facteur de forme de faible poids pour les cartes de stockage amovibles. Les
cartes CompactFlash sont durables, fonctionnent à une faible tension et conservent
les données une fois mise hors tension. Elles sont utilisées dans les caméras
numériques, les téléphones cellulaires, les imprimantes, les portables, les pagers et
les systèmes d'enregistrement audio.
Terme utilisé par Apple Computer, Inc. pour désigner un module de mémoire d'une
technologie ancienne, contenant un nombre plus élevé de puces à faible densité.
(MCH) – Interface entre le processeur, le port d’accès accéléré pour les graphiques
AGP et la mémoire RDRAM sur les cartes mères équipées du chipset 820 ou 840
(MTH) – Interface permettant à la mémoire SDRAM d’être supportée par un canal
direct RAMbus associé aux cartes mères dotées du chipset 820 d’Intel.
Seconde génération de la technologie Rambus. Concurrent Rambus équipe les
ordinateurs graphiques, les téléviseurs numériques et les consoles de jeux vidéo
(comme la Nintendo 64 depuis 1997).
(CSP) – Conditionnement plat pour puce où les connexions électriques sont
réalisées généralement via une grille de billes. Le conditionnement Chip-scale est
utilisé pour les RDRAM et les mémoires flash.
Prise de mémoire Rambus.
Composante de la carte mère qui contient un module SIMM unique.
(C-RIMM) – Module mémoire Direct Rambus ne contenant pas de puces mémoire.
C-RIMM fournit un canal continu au signal. Dans un système Direct Rambus, les
connecteurs ouverts doivent être équipés de C-RIMM.
(Central Processing Unit - unité centrale) – Puce de la machine qui a pour tâche
principale d'interpréter les commandes et de faire tourner le programmes. La CPU
est appelée processeur ou microprocesseur.
Transaction unique entre la mémoire principal et la CPU.
(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) – Dernière
génération de la technologie SDRAM. La lecture des données s'effectue sur la partie
montante comme sur la partie descendante de l'horloge de l'ordinateur, soit avec
une bande passante double de celle d'une SDRAM standard. Avec la DDR SDRAM,
la vitesse de la mémoire double, sans augmentation de la fréquence d'horloge.
Puce EEPROM qui contient des informations concernant la taille et la vitesse ainsi
que d’autres spécifications et informations de module mémoire du fabricant.
(Dual In-line Memory Module) – Carte imprimée avec contacts en or et modules de
mémoire. La DIMM est semblable à la SIMM, avec la principale différence suivante:
alors que, sur la SIMM, les broches situées à l'opposé de la carte, sont "liées" pour
former un seul contact électrique, sur la DIMM, les broches opposées demeurent
électriquement isolées.
(Dual In-line Package) – Boîtier de DRAM à double rangée de connexions. Les DIP
peuvent être installées sur des connecteurs ou soudées de manière définitive dans
les trous d'une carte imprimée. Le boîtier DIP était extrêmement répandu lorsque
la mémoire était installée directement sur la carte mère.
Technologie Rambus de troisième génération présentant un architecture DRAM
entièrement nouvelle, pour PC hautes performances. Le transfert de donnés à lieu
à 800 MHz sur un canal 16 bits, à comparer à la SDRAM courante qui fonctionne
à 100 MHz sur un bus à 64 bits.
Film, généralement en aluminium, qui recouvre un composant électrique et en
dissipe la chaleur.
Module mémoire doté de deux bancs.
(Dynamic Random-Access Memory) – Mémoire RAM dynamique, forme la plus
commune de ce type de mémoire. La DRAM conserve les données pendant un
intervalle de temps court. Pour cela, elle doit être périodiquement rafraîchie. Si la
cellule n'est pas réactivée, les données sont effacées.
(DIB) – Architecture de bus, développée par Intel, offrant une bande passante
supérieure grâce à deux bus séparés (frontside et backside) d'accès au processeur.
Les ordinateurs Pentium II sont équipés de DIB.
(Extended Data-Out) – Technologie de DRAM qui raccourcit le cycle de lecture entre
la mémoire et la CPU. Sur les ordinateurs qui la supportent, la mémoire EDO
permet à la CPU d'accéder à la mémoire à une vitesse 10 à 20 pour cent plus rapide
que les mémoires comparables en mode fast-page.
(Enhanced DRAM) – DRAM d'Enhanced Memory Systems, Inc. qui contient une
petite quantité de SRAM.
(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - mémoire morte effaçable
électriquement) – Puce mémoire qui conserve les données une fois que
l'alimentation électrique à été coupée. L'EEPROM peut être effacée et
reprogrammée à l'intérieur ou à l'extérieur de l'ordinateur.
(Extended ISA) – Architecture de bus qui fait passer à 32 bits le bus ISA 16 bits.
EISA fonctionne à 8 MHz et transmet les données à 33 Mo par seconde au
maximum. EISA a été proposé en 1988 comme alternative ouverte au Micro
Channel bus propriétaire d'IBM.
Technique servant à augmenter la vitesse de la mémoire. Par exemple, lorsque l'on
dispose de bancs de mémoire séparés pour les adresses impaires et paires, il peut y
avoir un accès à l'octet de mémoire suivant durant le rafraîchissement de l'octet actuel.
(ECC on SIMM) – Technologie de contrôle de l'intégrité des données, développée
par IBM, qui effectue un contrôle ECC sur une SIMM.
(Erasable Programmable Read-Only Memory) – Mémoire morte programmable et
réutilisable, qui conserve les données jusqu'à ce qu'elles soient effacées par une
lumière ultraviolette. Un équipement spécial est nécessaire pour effacer et
reprogrammer les EPROM.
(Enhanced Synchronous DRAM) – Type de SDRAM développée par Enhanced
Memory Systems, Inc. L'ESDRAM remplace la SRAM, plus coûteuse, dans les
systèmes intégrés et offre des vitesses comparables avec une consommation
électrique inférieure et à un coût moindre.
Période d’inaction pour le processeur. Les états d’attente résultent de la différence
entre vitesses d’horloge du processeur et de la mémoire, cette dernière étant
généralement plus lente.
Taille, configuration et autres spécifications pour décrire un matériel. Exemples de
facteurs de forme pour les mémoires: SIMM, DIMM, RIMM, 30 broches, 72
broches et 168 broches.
(FCRAM) – La FCRAM est une technologie de mémoire, actuellement développée
par Toshiba et Fujitsu. La FCRAM n'est pas destinée à la mémoire principale du PC,
mais sera utilisée pour les applications spéciales, comme les serveurs évolués, les
imprimantes et les systèmes de commutation dédiés aux télécommunications.
Forme ancienne de DRAM; l'avantage du mode fast-page par rapport aux
précédentes technologies en mode page est un accès plus rapide aux données se
trouvant dans la même rangée.
Mémoire à semi-conducteurs, non volatile, réinscriptible, qui fonctionne comme la
combinaison d'une RAM et d'un disque dur. La mémoire flash est durable,
consomme peu et conserve les données une fois l'alimentation électrique coupée.
Les cartes mémoire flash sont utilisées dans les caméras numériques, les téléphones
cellulaires, les imprimantes, les ordinateurs portables, les pagers et les dispositifs
d'enregistrement audio.
Environ 1 milliard de bits ou exactement 1 bit x 1 0243 (1 073 741 824 bits).
Environ 1 milliard d'octets ou exactement 1 octet x 1 0243 (1 073 741 824 octets).
(Joint Electron Device Engineering Council) – Association américaine de fabricants
d’électronique (EIA) chargée de la mise en oeuvre des normes en matière de semiconducteurs.
(chipset) Micropuces qui secondent la CPU dans ses tâches. Le chipset contient
normalement plusieurs contrôleurs qui définissent comment s'organisent les
échanges d'information entre le processeur et les autres unités.
Environ, un millier de bits ou exactement 1 bit x 210 (1 024) bits.
Environ un millier d’octets, ou exactement 1 octet x 210 (1 024) octet.
Rapport entre le temps d'accès de colonne et le temps de cycle d'horloge. La latence
CAS 2 (CL2) offre une légère augmentation de performance par rapport à la latence
CAS 3 (CL3).
Environ un million de bits, ou exactement 1 bit x 1 0242 (1 048 576) bits.
Environ un million d’octets, ou exactement 1 octet x 1 0242 (1 048 576) octets.
Mémoire de micro-ordinateur à accès aléatoire. La mémoire vive conserve
temporairement les données et instructions de la CPU. Voir RAM.
Mémoire RAM dynamique synchrone qui contient directement des registres sur le
module. Les registres reconduisent les signaux via les puces, ce qui permet
d’équiper le module d’un nombre plus élevé de puces. Il ne faut pas mélanger les
mémoires à registres les mémoires sans tampon. La conception du contrôleur de
mémoire impose le type de mémoire dont a besoin le micro-ordinateur.
Module de mémoire qui contient des tampons. Les tampons réacheminent les
signaux à travers les puces mémoire et permettent au module d'intégrer un nombre
supérieur de puces. Il n'est pas possible de mélanger les mémoires avec tampon et
sans tampon. La conception du contrôleur de mémoire de l'ordinateur indique si
la mémoire doit être ou non dotée d'un tampon.
Mémoire très rapide, de petite taille (normalement inférieure à 1 Mo) implantée sur
la CPU ou à proximité immédiate. La mémoire cache fournit au processeur les
données et instructions les plus fréquemment utilisées. Le cache de niveau 1 (cache
primaire) est le plus proche du processeur; le cache de niveau 2 (cache secondaire)
est généralement monté sur la carte mère.
Type de mémoire équipant spécialement les portables et les notebooks. La mémoire
Credit Card est de la taille d'une carte de crédit.
(VCM) – VCM est une architecture mémoire développée par NEC. La VCM autorise
différents blocs de mémoire – chacun avec son propre tampon – pour un
interfaçage individuel avec le contrôleur. C’est ainsi que les tâches systèmes sont
affectées à leurs propres canaux virtuels. L’information apparentée à une fonction
ne partage pas l’espace tampon avec les autres tâches tournant simultanément; pour
cette raison les opérations sont en général réalisées avec plus d’efficacité.
Unité de stockage des données semblable à un disque dur ou à un cédérom.
Mémoire qui ne contient pas de tampons ou de registres sur le module. Au lieu de
cela, ces périphériques sont logés sur la carte mère.
Personnalisation de la mémoire pour un micro-ordinateur spécifique.
(WRAM) – Mémoire de Samsung Electronic à deux ports de données séparés (dualported),
typique sur une carte vidéo ou graphique. La WRAM a une bande passante
de 25% plus élevée que celle de la VRAM, tout en étant moins chère.
Mémoire simultanée. Lorsque la RAM est pleine, le micro-ordinateur permute les données
sur le disque dur et inversement sur la RAM dès que nécessaire. Voir Permutation.
(μBGA) – Tessera, Inc. BGA: technologie d’encapsulation des puces qui se traduit
par une miniaturisation du boîtier, l’accélération de la dissipation de chaleur et des
densités d’implantation plus élevées des modules.
Transmission à vitesse élevée d'un bloc de données (série d'adresses consécutives)
lorsque le processeur demande une seule adresse.
(ns) – Un milliardième de seconde. Les temps d’accès aux données de la mémoire
se mesurent en nanosecondes. Par exemple, les temps d’accès mémoire des
modules SIMM typiques à 30 et 72 contacts sont compris entre 60 et 100
nanosecondes.
Moitié d’un octet de 8 bits ou groupe de 4 bits.
Terme de la société Apple Computer, Inc. pour désigner un module mémoire
utilisant une nouvelle technologie et contenant moins de puces mais d’une densité
élevée. Les modules non composites sont plus fiables et plus onéreux que les
composites.
Huit bits d'information. L'octet est l'unité fondamentale du traitement dans un
ordinateur; la plupart des spécifications et mesures de performances d'une machine
sont exprimées en octets ou en multiples de cette unité. Voir kilo-octets et méga-octets.
Contrôle de l’intégrité des données
où l'on ajoute un bit de parité à chaque octet de
données. Ce bit est utilisé pour détecter des erreurs dans les 8 autres bits.
Contrôle d’intégrité des données par lequel le bit de parité recherche un nombre
impair de 1.
Type de contrôle de l'intégrité des données
où le bit de parité vérifie s'il existe un
nombre pair de 1.
(PCMCIA: Personal Computer Memory Card International Association) – Sigle
désignant l’association d’entreprises dont le but est de promouvoir une nouvelle
norme pour les périphériques de type PC card et leurs connecteurs), une norme qui
permet l’interchangeabilité de différents composants de traitement sur le même
connecteur. La norme PCMCIA supporte des équipements d’entrée-sortie,
fax/modem, port SCSI et produits de mise en réseau.
(Peripheral Component Interconnect – Spécification Intel de bus local) – Bus local
capable d’envoyer simultanément des données de 32 bits ou 64 bits. Le PCI
autorise le plug and play.
Procédé permet d’utiliser une partie du disque dur comme mémoire lorsque la
RAM est pleine. Voir Mémoire virtuelle.
(AGP - Accelerated Graphics Port) – Interface développée par Intel pour le traitement
rapide des graphiques. Les données circulent directement entre le contrôleur
graphique du PC et la mémoire, au lieu de transiter par la mémoire vidéo.
Technique où une mémoire charge le contenu de la mémoire sollicitée dans un petit
cache composé de RAM statiques puis extrait ensuite les données de l'adresse
suivante. Le procédé pipeline comprend donc deux étapes: lors de la première
étape, les données sont extraites des RAM statiques ou y sont écrites, tandis que lors
de la seconde, les données sont extraites ou écrites dans la mémoire.
Elément, en général en alliage de zinc, qui évacue la chaleur. Une CPU doit être
équipée de radiateurs.
(Random-Access Memory) – Configuration de cellules mémoire contenant les données
en vue du traitement par la CPU. Autrement dit la CPU peut retrouver des données
à partir d’une adresse quelconque à l’intérieur de la RAM. Voir également mémoire.
(SRAM) – Puce mémoire qui exige de l’énergie pour sauvegarder son contenu. La
SRAM est plus rapide que la DRAM, mais plus chère et plus encombrante. La SRAM
trouve une utilisation typique en tant que mémoire cache.
(1) La société Rambus, Inc. développe et octroie des licences pour les technologies
de conception de circuits et de mémoires hautement performants et fournit des
informations concernant la conception, la configuration et le test de produits.
(2) Le Rambus direct est une technologie de mémoire à vitesse d’accès élevée qui
utilise un bus étroit de 16 bits (canal Rambus) pour transmettre des données à des
vitesses de 800 MHz, maximum. Voir canal Rambus.
Signal de puce mémoire qui verrouille l’adresse de ligne d’un point particulier dans
une matrice de colonnes-lignes.
Procédé permettant de conserver les données mémorisées dans une RAM
dynamique. Le procédé de régénération des cellules électriques d’un composant
DRAM est similaire à celui de recharge des batteries. Divers composants DRAM
requièrent différentes méthodes de rafraîchissement.
Marque déposée d’un module mémoire Rambus direct. Module RIMM™ en conformité
avec le facteur de forme de la DIMM et qui transfère 16 bits de données par cycle.
Méthode pour établir un diagramme des configurations de mémoire. Le schéma de
banc comprend des rangées et/ou colonnes représentant les connecteurs de
mémoire sur la carte d'un ordinateur. Les rangées correspondent à des connecteurs
indépendants, les colonnes à des bancs.
(DRAM synchrone) – Technologie DRAM qui utilise une horloge afin de
synchroniser l’entrée et la sortie des signaux sur une puce mémoire. L’horloge de la
mémoire est coordonnée par celle de la CPU de sorte que la synchronisation est
assurée entre les puces mémoire et la CPU. Une DRAM synchrone stocke le temps
relatif aux instructions d’exécution et aux données de transmission, ce qui se
traduit par une augmentation de l’ensemble des performances du micro-ordinateur.
Par rapport à une mémoire EDO, la DRAM synchrone accélère de 25%, environ la
vitesse d’accès de la CPU à la mémoire. (Voir notre classification)
(Synchronous Graphics Random-Access Memory - Mémoire graphique synchrone à accès
aléatoire) – Mémoire dédiée vidéo
qui intègre des fonctions de lecture/écriture,
spécifiques aux applications graphiques. La SGRAM permet de régénérer et
modifier les données en bloc et non pas individuellement. Le groupement en bloc
réduit le nombre de lectures et d’écritures à exécuter et augmente les performances
du contrôleur graphique.
(Single In-line Memory Module – Module mémoire à connexion simple) – Carte à circuit
imprimé équipée de modules mémoire et de contact en or ou en étain. Un module
SIMM s’enfiche dans un connecteur d’extension de mémoire. Les modules SIMM
offrent deux avantages essentiels: il sont faciles à installer et sont compacts. Un
module SIMM monté verticalement sur la plaque ne requiert qu’une fraction de
l’espace par rapport à une DRAM montée horizontalement. Le nombre de broches
d'un module SIMM est compris entre 30 et 200. Sur un module SIMM, les
conducteurs en métal montés de chaque côté sont reliés électriquement entre eux.
(Synclink - Lien synchrone) – Quoique dépassée aujourd’hui, la SLDRAM fut une
technologie de mémoire majeure développée par un consortium de 12 fabricants
de DRAM en guise de variante à la technologie du Rambus direct.
(Small-Outline Dual In-line Memory Module - Module mémoire petit format à double
rangée de connexions) – Version améliorée d’une DIMM standard. A nombre égal de
broches, soit 72, un module DIMM est moitié moins long qu'un module SIMM.
(Small-Outline J-lead) – Forme courante d’encapsulation pour mémoire DRAM
montée en surface. Le SOJ est un boîtier rectangulaire muni de conducteurs en
forme de J disposés sur les côtés.
Marque déposée d’une mémoire Rambus directe intégrée dans les ordinateurs
portables. Les modules SO-RIMM™ fournissent une capacité mémoire comparable
à celle des configurations mémoire de bureau.
Zone de sauvegarde des données partagées entre plusieurs unités opérant avec des
vitesses ou des priorités différentes. Un tampon permet à un élément de
fonctionner sans les temporisations imposées avec les autres systèmes.
Technologie qui supporte le bus arrière dans les systèmes de Rambus directs. Grâce
au procédé pipeline, l’information est rapidement traitée sous forme de paquets
simultanés. Le contrôleur de la mémoire réassemble les paquets en vue de leur
transfert vers le processeur, via le bus frontal.
Temps moyen (en nanosecondes) nécessaire à une RAM pour effectuer un accès. Le
temps d'accès est subdivisé en temps d'établissement de l'adresse et latence (temps
nécessaire pour lancer une demande de données et préparer l'accès).
(Thin Small-Outline Package – Boîtier mince de petit format) – Boîtier DRAM, équipé
des deux côtés de broches recourbées. La TSOP DRAM se monte directement sur
la surface de la carte à circuit imprimé. Le boîtier TSOP représente un tiers de
l’épaisseur du SOJ. Les composants SOP se rencontrent généralement sur des
boîtiers DIMM de petit format et des puces de carte de paiement.
Nombre de lignes de composants DRAM devant être régénérés. On dispose de trois
vitesses de régénération: 2K, 4K et 8K.
(Video Random-Access Memory – Mémoire vidéo à accès aléatoire) – Mémoire à deux
ports de données séparés (Dual-ported), typique sur une carte vidéo ou graphique.
Un port est dédíé au tube à rayon cathodique CRT et rafraîchit et actualise l’image.
Le second port est réservé à la CPU ou au contrôleur graphique et actualise les
données dans la mémoire.
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